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??在后臺看到很多人回復(fù)集成電路相關(guān)的一些書籍,所以本文就提供一些書籍,書籍鏈接在公眾號本文文末直接獲取。
1、CMOS超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)
??本書是本經(jīng)典教材,該版本反映了近年來集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域面貌的迅速變化,突出了延時、功耗、互連和魯棒性等關(guān)鍵因素的影響。內(nèi)容涵蓋了從系統(tǒng)級到電路級的CMOS VLSI設(shè)計(jì)方法,
??介紹了CMOS集成電路的基本原理,設(shè)計(jì)的基本問題,基本電路和子系統(tǒng)的設(shè)計(jì),以及CMOS系統(tǒng)的設(shè)計(jì)實(shí)例(包括一系列當(dāng)前設(shè)計(jì)方法和CMOS的特有問題,以及測試、可測性設(shè)計(jì)和調(diào)試等技術(shù)),本書電子版在文末直接獲取即可。
2、數(shù)字集成電路-電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)(第二版)
??本書由美國加州大學(xué)伯克利分校Jan M. Rabaey教授等人所著。全書共12章,分為三部分: 基本單元、電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)。本書在對MOS器件和連線的特性做了簡要的介紹之后,深入分析了數(shù)字設(shè)計(jì)的核心――反相器,并逐步將這些知識延伸到組合邏輯電路、時序邏輯電路、控制器、運(yùn)算電路以及存儲器這些復(fù)雜數(shù)字電路與系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中。
??為了反映數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)進(jìn)入深亞微米領(lǐng)域后正在發(fā)生的深刻變化,本書以CMOS工藝的實(shí)際電路為例,討論了深亞微米器件效應(yīng)、電路*優(yōu)化、互連線建模和優(yōu)化、信號完整性、時序分析、時鐘分配、高性能和低功耗設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)驗(yàn)證、芯片測試和可測性設(shè)計(jì)等主題,著重探討了深亞微米數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)和啟示,本書電子版在文末直接獲取即可。
3、CMOS數(shù)字集成電路 分析與設(shè)計(jì) 第4版
??本書詳細(xì)介紹CMOS數(shù)字集成電路的相關(guān)內(nèi)容,為反映納米級別CMOS技術(shù)的廣泛應(yīng)用和技術(shù)發(fā)展,全書在第三版的基礎(chǔ)上對晶體管模型公式和器件參行了修正,幾乎全部章節(jié)行了重寫,提供了反映現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展和集成電路設(shè)計(jì)的新資料。
??全書共15章,第1章至第8章詳細(xì)討論MOS晶體管的相關(guān)特性和工作原理、基本反相器電路設(shè)計(jì)、組合邏輯電路及時序邏輯電路的結(jié)構(gòu)與工作原理;第9章至第13章主要介紹應(yīng)用于VLSI芯片設(shè)計(jì)的動態(tài)邏輯電路、半導(dǎo)體存儲器耗CMOS邏輯電路、算術(shù)組合模塊、時鐘電路與輸入/輸出電路;后兩章分別討論集成電路的產(chǎn)品化設(shè)計(jì)和可測試性設(shè)計(jì)這兩個重要主題,本書電子版在文末直接獲取即可。
4、CMOS模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證
??本書依托Cadence Virtuoso版圖設(shè)計(jì)工具與Mentor Calibre版圖驗(yàn)證工具,采取循序漸進(jìn)的方式,介紹利用Cadence Virtuoso與Mentor Calibre進(jìn)行CMOS模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)、驗(yàn)證的基礎(chǔ)知識和方法,內(nèi)容涵蓋了CMOS模擬集成電路版圖基礎(chǔ)知識,Cadence Virtuoso與Mentor Calibre的基本概況、操作界面和使用方法,CMOS模擬集成電路從設(shè)計(jì)到流片的完整流程,同時又分章介紹了利用Cadence Virtuoso版圖設(shè)計(jì)工具、Mentor Calibre版圖驗(yàn)證工具及Synopsys Hspice電路仿真工具進(jìn)行CMOS電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、后仿真的實(shí)例,包括運(yùn)算放大器、帶隙基準(zhǔn)源、低壓差線性穩(wěn)壓源、比較器和輸入/輸出單元。
5、CMOS集成電路EDA技術(shù)
??本書根據(jù)普通高校微電子學(xué)與固體電子學(xué)(集成電路設(shè)計(jì))專業(yè)的課堂教學(xué)和實(shí)驗(yàn)要求,以提高實(shí)際工程設(shè)計(jì)能力為目的,采取循序漸進(jìn)的方式,介紹進(jìn)行CMOS集成電路設(shè)計(jì)的EDA工具。主要分為EDA設(shè)計(jì)工具概述、模擬集成電路EDA技術(shù)和數(shù)字集成電路EDA技術(shù)三大部分。在模擬集成電路方面,依據(jù)模擬集成電路 電路前仿真—物理版圖設(shè)計(jì)—參數(shù)提取及后仿真的設(shè)計(jì)流程,詳細(xì)介紹了包括電路設(shè)計(jì)及仿真工具CadenceSpectre、版圖設(shè)計(jì)工具CadenceVirtusuo、版圖驗(yàn)證及參數(shù)提取工具M(jìn)entorCalibre在內(nèi)各工具的基本知識和使用方法。
??數(shù)字集成電路方面,根據(jù)代碼仿真、邏輯綜合、數(shù)字后端物理層設(shè)計(jì)流程,依次介紹RTL仿真工具M(jìn)odelsim、邏輯綜合工具DesignCompiler、數(shù)字后端版圖工具ICCompiler和Encounter四大類設(shè)計(jì)工具。書中配以電路設(shè)計(jì)實(shí)例進(jìn)一步分析各種EDA工具的設(shè)計(jì)輸入方法和技巧,形成一套完整的CMOS集成電路設(shè)計(jì)工具流程。
6、CMOS數(shù)字集成電路:分析與設(shè)計(jì)(第3版)
??本書詳細(xì)講述CMOS數(shù)字集成電路的相關(guān)內(nèi)容,反映現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展水平并提供了電路設(shè)計(jì)的最新資料。本書共十五章。前八章詳細(xì)討論MOSn體管的相關(guān)特性和工作原理、基本反相器電路設(shè)計(jì)、組合邏輯電路及時序邏輯電路的結(jié)構(gòu)與工作原理;第9章介紹應(yīng)用于先進(jìn)VLSI芯片設(shè)計(jì)的動態(tài)邏輯電路,第10章介紹先進(jìn)的半導(dǎo)體存儲電路,第11章介紹低功耗CMOS邏輯電路,第12章介紹雙極性晶體管基本原理和BiCMOS數(shù)字電路設(shè)計(jì),第13章詳細(xì)介紹芯片的I/O設(shè)計(jì),最后兩章分別討論電路的可制造性設(shè)計(jì)和可測試性設(shè)計(jì)這兩個重要問題。
在這里插入圖片描述
??隨著超深亞微米制作工藝、極低的工作電壓和GHz級工作頻率帶來的挑戰(zhàn),經(jīng)典的數(shù)字CMOS電路設(shè)計(jì)與模擬CMOS電路設(shè)計(jì)的界限已漸趨模糊。因此,本書從“模擬”的角度來講解數(shù)字CMOS電路的分析與設(shè)計(jì)(例如,用器件和電路的模擬和連續(xù)特性來實(shí)現(xiàn)數(shù)字化功能)。
7、數(shù)字集成電路設(shè)計(jì) 從VLSI體系結(jié)構(gòu)到CMOS制造
??本書從架構(gòu)和算法講起,介紹了功能驗(yàn)證、vhdl建模、同步電路設(shè)計(jì)、異步數(shù)據(jù)獲取、能耗與散熱、信號完整性、物理設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)驗(yàn)證等必備技術(shù),還講解了vlsi經(jīng)濟(jì)運(yùn)作與項(xiàng)目管理,并簡單闡釋了cmos技術(shù)的基礎(chǔ)知識,全面涵蓋了數(shù)字集成電路的整個設(shè)計(jì)開發(fā)過程。
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