DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SDRAM）

關(guān)于內(nèi)存方面知識(shí)，大部分人、包括我自己也不是很懂，希望此篇文章能起到點(diǎn)作用，做硬件的就得把相關(guān)專業(yè)知識(shí)學(xué)牢了，尤其是專業(yè)術(shù)語(yǔ)。

下面是DDR4知識(shí)做一次分享，之所以選擇介紹DDR4，是因?yàn)楝F(xiàn)在DDR5的應(yīng)用還較少，而DDR4的使用普遍，當(dāng)然后面還會(huì)考慮介紹DDR3，下文中就有一部分是DDR4跟DDR3的對(duì)比，我們先把DDR4的硬件相關(guān)知識(shí)給吃透了。有錯(cuò)誤或者更深了解的可以留言指正。

首先我們來(lái)了解下DDR4的新特性：

一：性能大幅提升：

從DDR3的1600Mbps提升到DDR4的3200Mbps。理論速率可達(dá)到2倍。

二：低能耗，高能效：

采用先進(jìn)工藝技術(shù)，可以在提高性能、降低成本同時(shí)減少能耗。

1.2V POD：采用低電壓供電和偽開(kāi)漏接口，可以降低功耗。

DDR3接口標(biāo)準(zhǔn),短截線串聯(lián)端接邏輯(Stub Series Termination Logic,SSTL)和DDR4接口標(biāo)準(zhǔn),“偽開(kāi)漏”(PseudoOpen Drain,POD)進(jìn)行了詳細(xì)研究和異同比較。

POD 作為 DDR4 新的驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)，最大的區(qū)別在于接收端的終端電壓等于VDDQ；而 DDR3 所采用的 SSTL 接收端的終端電壓為 VDDQ/2。

偽開(kāi)漏（POD）I/O緩沖

DDR4的I/O緩沖已經(jīng)從DDR3的推挽（push-pull）改成了偽開(kāi)漏（pseudo open drain）模式；POD輸出高時(shí)，接收端跟發(fā)送端兩端電壓是一樣的，故而沒(méi)有電流流動(dòng)，只有當(dāng)輸出低的時(shí)候才會(huì)損耗能量，故可以做到減低開(kāi)關(guān)電流，如若再使能DBI功能，可以更進(jìn)一步節(jié)省開(kāi)關(guān)電流，從而減低串?dāng)_，最終獲得更好的眼圖。

三：可靠性顯著提高

增加寫操作循環(huán)冗余檢驗(yàn)（Write CRC）可幫助識(shí)別多位故障。

增加命令（CMD）、地址（ADD）通路的奇偶校驗(yàn)（Parity）發(fā)生故障。