背景：

    在我們講wafer加工好以后，需要進(jìn)行相關(guān)測試，在此階段，有很多提及到的常用術(shù)語，我們依次進(jìn)行解釋。

主要單詞含義：

    CP ： Chip Probing（probe card），wafer level 的電路測試含功能；FT ： Final Test，device level 的電路測試含功能；WAT ： Wafer Acceptance Test（也叫PCM（Process Control Monitoring）），wafer level 的管芯或結(jié)構(gòu)測試；

主要功能：

   1、CP：A.把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本?？梢愿苯拥闹繵afer 的良率，在pass 的情況下才會去封裝。B.對wafer進(jìn)行測試，檢查fab廠制造的工藝水平，包括backgrinding和backmetal（if need），對一些基本器件參數(shù)的測試，如vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測試機(jī)臺的電壓和功率不會很高。C.CP 測試對Memory來說還有一個(gè)非常重要的作用，那就是通過MRA計(jì)算出chip level 的Repair address，通過Laser Repair將CP測試中的Repairable die 修補(bǔ)回來，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升D.CP在整個(gè)制程中算是半成品測試，目的有2個(gè)，1個(gè)是監(jiān)控前道工藝良率，第2個(gè)是降低后道成本（避免封裝過多的壞芯片），其能夠測試的項(xiàng)比FT要少些。最簡單的一個(gè)例子，碰到大電流測試項(xiàng)CP肯定是不測的（探針容許的電流有限），這項(xiàng)只能在封裝后的FT測。不過許多項(xiàng)CP測試后FT的時(shí)候就可以免掉不測了（可以提高效率），所以有時(shí)會覺得FT的測試項(xiàng)比CP少很多。2、FT：A.FT是把壞的chip挑出來；檢驗(yàn)封裝的良率。B.FT是對package進(jìn)行測試，檢查封裝廠制造的工藝水平，FT是packaged chip level的Final Test，主要是對于這個(gè)（CP passed）IC或Device芯片應(yīng)用方面的測試，有些甚至是待機(jī)測試。C.有些測試項(xiàng)在CP時(shí)會進(jìn)行測試，在FT時(shí)就不用再次進(jìn)行測試了，節(jié)省了FT測試時(shí)間；但是有些測試項(xiàng)必須在FT時(shí)才進(jìn)行測試（不同的設(shè)計(jì)公司會有不同的要求）

這里需要強(qiáng)調(diào)的是：
一般來說，CP測試的項(xiàng)目比較多，比較全；FT測的項(xiàng)目比較少，但都是關(guān)鍵項(xiàng)目，條件嚴(yán)格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）。
在測試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測試的干擾問題。FT相對來說簡單一點(diǎn)。還有一點(diǎn)，memory測試的CP會更難，因?yàn)橐鰎edundancy analysis，寫程序很麻煩

   3、WAT：A.對專門的測試圖形（test key）的測試，通過電參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定	。B.WAT的測試項(xiàng)和CP/FT是不同的，對Wafer 劃片槽（Scribe Line）測試鍵（Test Key）的測試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定。C.WAT測試有問題，超過SPEC，一般對應(yīng)Fab各個(gè)Module制程工藝或者機(jī)臺Shift，例如Litho OVL異常，ETCH CD 偏小，PVD TK偏大等等。WAT有嚴(yán)重問題的Wafer會直接報(bào)廢。

以上，是關(guān)于 在我們講wafer加工好以后，常用的術(shù)語。

–補(bǔ)充，暫時(shí)放這里
OM：也叫目檢，OM屬于表面觀察，看不到內(nèi)部情況。

1.樣品外觀、形貌檢測

2.制備樣片的金相顯微分析

3.各種缺陷的查找

4.晶體管點(diǎn)焊、檢查