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做一個(gè)網(wǎng)站人員,seo運(yùn)營(yíng)是什么,中國(guó)建設(shè)官方網(wǎng)站企業(yè),網(wǎng)站投稿系統(tǒng)怎么做目錄 FSMC簡(jiǎn)介 FSMC框圖介紹 FSMC通信引腳介紹 FSMC_NWE 的作用 FSMC_NWE 的時(shí)序關(guān)系 FSMC_NOE 的含義 FSMC_NOE 的典型用途 FSMC_NOE 的時(shí)序關(guān)系 使用FSMC驅(qū)動(dòng)LCD FSMC時(shí)序介紹 時(shí)序特性中的 OE ILI9341重點(diǎn)時(shí)序: FSMC地址映射 HADDR與FSMC_A關(guān)系 LCD的…

?

目錄

?

FSMC簡(jiǎn)介

FSMC框圖介紹

FSMC通信引腳介紹

FSMC_NWE 的作用

FSMC_NWE 的時(shí)序關(guān)系

FSMC_NOE 的含義

FSMC_NOE 的典型用途

FSMC_NOE 的時(shí)序關(guān)系

使用FSMC驅(qū)動(dòng)LCD

FSMC時(shí)序介紹?

時(shí)序特性中的 OE

?ILI9341重點(diǎn)時(shí)序:

FSMC地址映射?

?HADDR與FSMC_A關(guān)系

?LCD的RS信號(hào)線(xiàn)與地址線(xiàn)關(guān)系

FSMC相關(guān)寄存器介紹

SRAM/NOR閃存片選控制寄存器(FSMC_BCRx)?

SRAM/NOR閃存片選時(shí)序寄存器(FSMC_BTRx)

SRAM/NOR閃存寫(xiě)時(shí)序寄存器(FSMC_BWTRx)

FSMC寄存器組合說(shuō)明

FSMC相關(guān)HAL庫(kù)函數(shù)簡(jiǎn)介

?SRAM_HandleTypeDef

FSMC_NORSRAM_InitTypeDef

FSMC模擬8080時(shí)序讀寫(xiě)簡(jiǎn)化代碼


FSMC簡(jiǎn)介

FSMC,Flexible Static Memory Controller,靈活的靜態(tài)存儲(chǔ)控制器。

用途:用于驅(qū)動(dòng)SRAM,NOR FLASH,NAND FLASH及PC卡類(lèi)型的存儲(chǔ)器。

????????配置好FSMC,定義一個(gè)指向這些地址的指針,通過(guò)對(duì)指針操作就可以直接修改存儲(chǔ)單元的內(nèi)容,FSMC自動(dòng)完成讀寫(xiě)命令和數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)操作,不需要程序去實(shí)現(xiàn)時(shí)序。

????????FSMC外設(shè)配置好就可以模擬出時(shí)序。

實(shí)例:FSMC模擬8080時(shí)序控制LCD

F1/ F4(407)系列大容量型號(hào),且引腳數(shù)目在100腳以上的芯片都有FSMC接口

F4/F7/H7系列就是FMC接口

FSMC框圖介紹

① 時(shí)鐘控制邏輯

FSMC掛載在AHB總線(xiàn)上,時(shí)鐘信號(hào)來(lái)自HCLK

② STM32內(nèi)部的FSMC控制單元

NOR閃存和PSRAM控制器、NAND閃存和PC卡控制器、FSMC配置寄存器

③ 通信引腳

不同類(lèi)型存儲(chǔ)器用到的信號(hào)引腳

公共信號(hào)引腳

FSMC通信引腳介紹

? 用于連接硬件設(shè)備的引腳,控制不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器會(huì)用不同的引腳。

  • FSMC_NWE 的作用

  • 用于寫(xiě)操作

    • FSMC_NWE 用于通知外部存儲(chǔ)器執(zhí)行寫(xiě)操作。
    • 在寫(xiě)操作期間,FSMC 會(huì)將 FSMC_NWE 拉低(邏輯 0),使能外部存儲(chǔ)器的寫(xiě)操作。
    • FSMC_NWE 通常連接到外部存儲(chǔ)器的 WE(Write Enable)引腳,確保數(shù)據(jù)可以正確寫(xiě)入外部存儲(chǔ)器。
  • 與數(shù)據(jù)總線(xiàn)和地址總線(xiàn)的配合

    • 在寫(xiě)操作中:
      • FSMC_NWE 為低電平時(shí),外部存儲(chǔ)器會(huì)從 FSMC 的數(shù)據(jù)總線(xiàn)(FSMC_Dx)上讀取數(shù)據(jù),并將數(shù)據(jù)寫(xiě)入指定的存儲(chǔ)地址(由地址總線(xiàn) FSMC_Ax 提供)。
      • 當(dāng) FSMC_NWE 回到高電平時(shí),寫(xiě)操作完成。
  • 寫(xiě)入控制的時(shí)序信號(hào)

    • FSMC 控制 FSMC_NWE 的上升沿和下降沿來(lái)定義寫(xiě)入周期的開(kāi)始和結(jié)束,確保數(shù)據(jù)正確寫(xiě)入外部存儲(chǔ)器。

FSMC_NWE 的時(shí)序關(guān)系

FSMC_NWE 的控制信號(hào)與以下其他 FSMC 信號(hào)配合使用:

  1. FSMC_NE(芯片選擇,Chip Select)
    • 用于選擇具體的外部存儲(chǔ)器。
    • 當(dāng) FSMC_NE 為低電平時(shí),所選存儲(chǔ)器芯片被激活。
  2. FSMC_A(地址總線(xiàn))
    • 提供數(shù)據(jù)寫(xiě)入的目標(biāo)地址。
  3. FSMC_D(數(shù)據(jù)總線(xiàn))
    • 提供要寫(xiě)入的數(shù)據(jù)。
  4. FSMC_NWAIT(等待信號(hào),可選)
    • 外部存儲(chǔ)器可以通過(guò)拉高或拉低 FSMC_NWAIT 信號(hào)請(qǐng)求延遲完成寫(xiě)操作。

以下是典型的 FSMC 寫(xiě)入時(shí)序:

  • FSMC 首先激活 FSMC_NE(芯片選擇)。
  • 然后將 FSMC_Ax(地址)和 FSMC_Dx(數(shù)據(jù))設(shè)置為目標(biāo)地址和數(shù)據(jù)值。
  • FSMC_NWE 被拉低,外部存儲(chǔ)器開(kāi)始寫(xiě)入。
  • 當(dāng)寫(xiě)入完成后,FSMC_NWE 被拉高,FSMC 將完成該寫(xiě)操作。

FSMC_NOE 的含義

FSMC_NOE 的全稱(chēng)是 FSMC Output Enable (輸出使能),它是 FSMC 用于控制外部存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)輸出的信號(hào)引腳。

  • 名稱(chēng)含義

    • N:代表負(fù)邏輯(Active Low,低電平有效)。
    • OE:Output Enable(輸出使能信號(hào))。
  • 功能

    • FSMC_NOE 控制外部存儲(chǔ)器是否將數(shù)據(jù)輸出到 FSMC 的數(shù)據(jù)總線(xiàn)上。
    • 當(dāng) FSMC_NOE 為低電平(邏輯 0)時(shí),外部存儲(chǔ)器的輸出緩沖區(qū)被使能,數(shù)據(jù)可以傳輸?shù)?FSMC 的數(shù)據(jù)總線(xiàn)。
    • 當(dāng) FSMC_NOE 為高電平(邏輯 1)時(shí),外部存儲(chǔ)器的輸出緩沖區(qū)被禁用,數(shù)據(jù)不會(huì)輸出。

FSMC_NOE 的典型用途

  1. 與外部存儲(chǔ)器的接口控制

    • 在讀取外部存儲(chǔ)器(如 NOR Flash 或 SRAM)時(shí),FSMC 控制 FSMC_NOE 以使能數(shù)據(jù)的輸出。
    • FSMC_NOE 信號(hào)通常連接到外部存儲(chǔ)器的 OE 引腳,表示“是否允許數(shù)據(jù)輸出”。
  2. 在讀取操作中的作用

    • FSMC 進(jìn)行讀取操作時(shí),FSMC_NOE 被拉低,通知外部存儲(chǔ)器將數(shù)據(jù)放到數(shù)據(jù)總線(xiàn)上。
    • 在寫(xiě)操作或非活躍狀態(tài)時(shí),FSMC_NOE 保持高電平。

FSMC_NOE 的時(shí)序關(guān)系

FSMC_NOE 的控制通常與以下信號(hào)配合使用:

  1. FSMC_NE(芯片選擇,Chip Select)
    • FSMC_NE 用于選擇具體的外部存儲(chǔ)器芯片。
    • 當(dāng) FSMC_NE 為低電平時(shí),選中的外部存儲(chǔ)器被激活。
  2. FSMC_NWE(寫(xiě)使能,Write Enable)
    • 用于指示寫(xiě)操作。
    • 當(dāng) FSMC_NWE 為低電平時(shí),表示正在向存儲(chǔ)器寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
  3. 地址和數(shù)據(jù)總線(xiàn)(FSMC_A 和 FSMC_D)
    • 地址總線(xiàn)(FSMC_A)提供要訪(fǎng)問(wèn)的外部存儲(chǔ)器地址。
    • 數(shù)據(jù)總線(xiàn)(FSMC_D)用于傳輸數(shù)據(jù)。

典型的讀取時(shí)序如下:

  • FSMC 控制 FSMC_NE(芯片使能)和 FSMC_NOE(輸出使能)信號(hào),激活外部存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)輸出。
  • FSMC_NOE 拉低后,外部存儲(chǔ)器將數(shù)據(jù)輸出到數(shù)據(jù)總線(xiàn)上。
  • 數(shù)據(jù)輸出完成后,FSMC 會(huì)將 FSMC_NOE 拉高,關(guān)閉數(shù)據(jù)輸出。

使用FSMC驅(qū)動(dòng)LCD

FSMC時(shí)序介紹?

FSMC是Flexible靈活的,可以產(chǎn)生多種時(shí)序來(lái)控制外部存儲(chǔ)器。

? NOR/PSRAM控制器產(chǎn)生的異步時(shí)序就有5種,總體分為兩類(lèi):一類(lèi)是模式1,其他為拓展模式。

? 拓展模式相對(duì)模式1來(lái)說(shuō)讀寫(xiě)時(shí)序時(shí)間參數(shù)設(shè)置可以不同,滿(mǎn)足存儲(chǔ)器讀寫(xiě)時(shí)序不一樣需求。

時(shí)序特性中的 OE

在時(shí)序特性中,“OE 在讀取時(shí)序片選過(guò)程中不翻轉(zhuǎn)” 或 “OE 在讀取時(shí)序片選過(guò)程中翻轉(zhuǎn)” 指的是 FSMC 控制 OE 信號(hào)在讀取操作期間的狀態(tài)行為:

  1. 不翻轉(zhuǎn)

    • 讀取操作開(kāi)始時(shí),FSMC 會(huì)將 OE 拉低,保持不變直到讀取完成。
    • 這種方式適用于大多數(shù) SRAM 或 CRAM 類(lèi)型存儲(chǔ)器。
  2. 翻轉(zhuǎn)

    • 讀取操作期間,FSMC 會(huì)在不同階段對(duì) OE 信號(hào)進(jìn)行翻轉(zhuǎn)(拉低-拉高-拉低),以協(xié)調(diào)更復(fù)雜的外部存儲(chǔ)器時(shí)序。
    • 這種方式適用于特定類(lèi)型的外部存儲(chǔ)器,例如一些特殊的 SRAM 或 PSRAM。

?

?ILI9341重點(diǎn)時(shí)序:

讀ID低電平脈寬(trdl)????????????????????????讀ID高電平脈寬(trdh)

讀FM低電平脈寬(trdlfm)??????????????????讀FM高電平脈寬(trdhfm)

寫(xiě)控制低電平脈寬(twrl)? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 寫(xiě)控制高電平脈寬(twrh)

ID:指LCD的ID號(hào)????????????????FM指幀緩存即GRAM

FSMC時(shí)序中ADDSET和DATAST不需要嚴(yán)格要求,可以使用實(shí)踐值

?

FSMC地址映射?

使用FSMC外接存儲(chǔ)器,其存儲(chǔ)單元是映射到STM32的內(nèi)部尋址空間的。

從FSMC角度看,可以把外部存儲(chǔ)器劃分為固定大小為256M字節(jié)的四個(gè)存儲(chǔ)塊。

FSMC存儲(chǔ)塊1被分為4個(gè)區(qū),每個(gè)區(qū)管理64M字節(jié)空間。(64M Byte = 2^26 Byte)

?HADDRFSMC_A關(guān)系

HADDR總線(xiàn)是轉(zhuǎn)換到外部存儲(chǔ)器的內(nèi)部AHB地址線(xiàn)。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),從CPU通過(guò)AHB總線(xiàn)到外部信號(hào)線(xiàn)之間的關(guān)系。

HADDR是字節(jié)地址,而存儲(chǔ)器訪(fǎng)問(wèn)不都是按字節(jié)訪(fǎng)問(wèn),接到存儲(chǔ)器的地址線(xiàn)與其數(shù)據(jù)寬度相關(guān)。

注意:數(shù)據(jù)寬度為16位時(shí),地址存在偏移

?LCDRS信號(hào)線(xiàn)與地址線(xiàn)關(guān)系

8080接口中RS(數(shù)據(jù)/命令選擇線(xiàn)),用FSMC的某根A地址線(xiàn)進(jìn)行替換。

FSMC_A10接到RS線(xiàn)上

????????當(dāng)FSMC_A10為高電平時(shí)(即RS為高電平),FSMC_D[15:0]被理解為數(shù)據(jù)。

????????當(dāng)FSMC_A10為低電平時(shí)(即RS為低電平),FSMC_D[15:0]被理解為命令。

究竟發(fā)送什么地址代替?

1、確認(rèn)FSMC_NE4基地址:? ? ? ?

?0x6C00 0000????????NEx(x=1…4):0x6000 0000 + (0x400 0000 * (x - 1))

2、確認(rèn)FSMC_A10對(duì)應(yīng)地址值

2^10 x 2 = 0x800????????FSMC_Ay(y=0…25): 2^y x 2

3、確認(rèn)兩個(gè)地址

代表LCD命令的地址:0x6C00 0000

代表LCD數(shù)據(jù)的地址:0x6C00 0800

FSMC相關(guān)寄存器介紹

????????對(duì)于NOR_FLASH/PSRAM控制器(存儲(chǔ)塊1)配置工作,通過(guò)FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx寄存器設(shè)置(其中x=1~4,對(duì)應(yīng)4個(gè)區(qū))。

SRAM/NOR閃存片選控制寄存器(FSMC_BCRx?

?EXTMOD:擴(kuò)展模式使能位,控制是否允許讀寫(xiě)不同的時(shí)序。讀和寫(xiě)用不同的時(shí)序,該位設(shè)置為1

WREN:寫(xiě)使能位。????????向TFTLCD寫(xiě)入數(shù)據(jù),該位設(shè)置1

?MWID[1:0]:存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度。00,表示8位數(shù)據(jù)模式;01表示16位數(shù)據(jù)模式;10和11保留。

MTYP[1:0]:存儲(chǔ)器類(lèi)型。00表示SRAM、ROM;01表示PSRAM;10表示NOR FLASH;11保留。?

MBKEN:存儲(chǔ)塊使能位。該位設(shè)置1

SRAM/NOR閃存片選時(shí)序寄存器(FSMC_BTRx

ACCMOD[1:0]訪(fǎng)問(wèn)模式。00:模式A01:模式B10:模式C11:模式D。

DATAST[7:0]數(shù)據(jù)保持時(shí)間,等于DATAST(+1)個(gè)HCLK時(shí)鐘周期,DATAST最大為255。

對(duì)于ILI9341來(lái)說(shuō),其實(shí)就是RD低電平持續(xù)時(shí)間,最小為355ns。

對(duì)于F1,一個(gè)HCLK = 13.9ns(1/72M),設(shè)置為15 (STM32F1的FSMC性能存在問(wèn)題

對(duì)于F4,一個(gè)HCLK = 6ns(1/168M),設(shè)置為60

ADDSET[3:0]地址建立時(shí)間。表示ADDSET(+1)個(gè)HCLK時(shí)鐘周期,ADDSET最大為15。

對(duì)于ILI9341來(lái)說(shuō),相當(dāng)于RD高電平持續(xù)時(shí)間,為90ns

F1即使設(shè)置為0RD也有超過(guò)90ns的高電平,這里設(shè)置為1。F4對(duì)該位設(shè)置為15

????????如果未設(shè)置EXTMOD位,則讀寫(xiě)共用這個(gè)時(shí)序寄存器!

SRAM/NOR閃存寫(xiě)時(shí)序寄存器(FSMC_BWTRx

?ACCMOD[1:0]:訪(fǎng)問(wèn)模式。00:模式A01:模式B10:模式C11:模式D。

DATAST[7:0]數(shù)據(jù)保持時(shí)間,等于DATAST(+1)個(gè)HCLK時(shí)鐘周期,DATAST最大為255。

對(duì)于ILI9341來(lái)說(shuō),其實(shí)就是WR低電平持續(xù)時(shí)間,最小為15ns

對(duì)于F1,一個(gè)HCLK = 13.9ns,設(shè)置為3

對(duì)于F4,一個(gè)HCLK = 6ns,設(shè)置為9

ADDSET[3:0]地址建立時(shí)間。表示ADDSET(+1)個(gè)HCLK時(shí)鐘周期,ADDSET最大為15。

對(duì)于ILI9341來(lái)說(shuō),相當(dāng)于WR高電平持續(xù)時(shí)間,為15ns。

F1即使設(shè)置為1WR也有超過(guò)15ns的高電平,這里設(shè)置為1。

F4對(duì)該位設(shè)置為8

FSMC寄存器組合說(shuō)明

????????在ST官方提供的寄存器定義里面,并沒(méi)有定義FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等這個(gè)單獨(dú)的寄存器,而是將他們進(jìn)行了一些組合,規(guī)則如下:

FSMC_BCRxFSMC_BTRx,組合成BTCR[8]寄存器組,他們的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下:

? ????????BTCR[0]對(duì)應(yīng)FSMC_BCR1BTCR[1]對(duì)應(yīng)FSMC_BTR1

? ????????BTCR[2]對(duì)應(yīng)FSMC_BCR2BTCR[3]對(duì)應(yīng)FSMC_BTR2

????????? BTCR[4]對(duì)應(yīng)FSMC_BCR3BTCR[5]對(duì)應(yīng)FSMC_BTR3

????????? BTCR[6]對(duì)應(yīng)FSMC_BCR4BTCR[7]對(duì)應(yīng)FSMC_BTR4

FSMC_BWTRx則組合成BWTR[7]寄存器組,他們的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下:

????????? BWTR[0]對(duì)應(yīng)FSMC_BWTR1BWTR[2]對(duì)應(yīng)FSMC_BWTR2

? ????????BWTR[4]對(duì)應(yīng)FSMC_BWTR3BWTR[6]對(duì)應(yīng)FSMC_BWTR4

? ????????BWTR[1]、BWTR[3]BWTR[5]保留,沒(méi)有用到

FSMC相關(guān)HAL庫(kù)函數(shù)簡(jiǎn)介

????????本例程涉及HAL庫(kù)相關(guān)函數(shù)如下:

HAL_StatusTypeDef HAL_SRAM_Init ( 
SRAM_HandleTypeDef *hsram,
FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef *Timing,
FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef *ExtTiming )

?SRAM_HandleTypeDef

typedef struct 
{ FSMC_NORSRAM_TypeDef *Instance;				/* 寄存器基地址 */FSMC_NORSRAM_EXTENDED_TypeDef *Extended; 	/* 擴(kuò)展模式寄存器基地址 */ FSMC_NORSRAM_InitTypeDef Init;				/* SRAM初始化結(jié)構(gòu)體*/ HAL_LockTypeDef Lock; 						/* SRAM鎖對(duì)象結(jié)構(gòu)體 */ __IO HAL_SRAM_StateTypeDef State; 			/* SRAM設(shè)備訪(fǎng)問(wèn)狀態(tài) */ DMA_HandleTypeDef *hdma; 					/* DMA結(jié)構(gòu)體 */ 
} SRAM_HandleTypeDef;

寄存器基地址選擇:FSMC_NORSRAM_DEVICE

擴(kuò)展模式寄存器基地址:FSMC_NORSRAM_EXTERNDEVICE

FSMC_NORSRAM_InitTypeDef

typedef struct 
{ uint32_t NSBank; 				/* 存儲(chǔ)區(qū)塊號(hào) */ uint32_t DataAddressMux; 		/* 地址/數(shù)據(jù)復(fù)用使能 */ 	uint32_t MemoryType; 			/* 存儲(chǔ)器類(lèi)型 */ 	uint32_t MemoryDataWidth; 		/* 存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)寬度 */uint32_t BurstAccessMode;		/* 設(shè)置是否支持突發(fā)訪(fǎng)問(wèn)模式,只支持同步類(lèi)型的存儲(chǔ)器 */uint32_t WaitSignalPolarity;	/* 設(shè)置等待信號(hào)的極性 */uint32_t WrapMode; 			    /* 突發(fā)模式下存儲(chǔ)器傳輸使能 */uint32_t WaitSignalActive; 		/* 等待信號(hào)在等待狀態(tài)之前或等待狀態(tài)期間有效 */ uint32_t WriteOperation; 		/* 存儲(chǔ)器寫(xiě)使能 */ uint32_t WaitSignal; 			/* 是否使能等待狀態(tài)插入 */ uint32_t ExtendedMode; 		    /* 使能或者禁止使能擴(kuò)展模式 */ uint32_t AsynchronousWait; 		/* 用于異步傳輸期間,使能或者禁止等待信號(hào) */ uint32_t WriteBurst; 			/* 用于使能或者禁止異步的寫(xiě)突發(fā)操作 */ uint32_t PageSize; 				/* 設(shè)置頁(yè)大小 */ 
} FSMC_NORSRAM_InitTypeDef;

?儲(chǔ)存區(qū)塊號(hào)選擇:FSMC_NORSRAM_BANK4

地址/數(shù)據(jù)復(fù)用功能選擇:FSMC_DATA_ADDRESS_MUX_DISABLE

儲(chǔ)存器類(lèi)型選擇:FSMC_MEMORY_TYPE_SRAM

儲(chǔ)存器數(shù)據(jù)寬度選擇:FSMC_NORSRAM_MEM_BUS_WIDTH_16

儲(chǔ)存器寫(xiě)使能選擇:FSMC_WRITE_OPERATION_ENABLE

使能或者禁止使能擴(kuò)展模式選擇:FSMC_EXTENDED_MODE_ENABLE

FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef

typedef struct 
{ uint32_t AddressSetupTime; 			/* 地址建立時(shí)間 */ uint32_t AddressHoldTime; 			/* 地址保持時(shí)間 */ 	uint32_t DataSetupTime; 			/* 數(shù)據(jù)建立時(shí)間 */ 	uint32_t BusTurnAroundDuration; 	/* 總線(xiàn)周轉(zhuǎn)階段的持續(xù)時(shí)間 */uint32_t CLKDivision;				/* CLK時(shí)鐘輸出信號(hào)的周期 */uint32_t DataLatency;				/* 同步突發(fā)NOR FLASH的數(shù)據(jù)延遲 */uint32_t AccessMode;				/* 異步模式配置 */
} FSMC_NORSRAM_InitTypeDef;

這里要配置addressSetupTime地址建立時(shí)間和DataSetupTime數(shù)據(jù)建立時(shí)間。

FSMC模擬8080時(shí)序讀寫(xiě)簡(jiǎn)化代碼

void lcd_wr_cmd(volatile uint16_t cmd){cmd = cmd;*(uint16_t *)(FSMC_ADDR_CMD) = cmd;}
void lcd_wr_data(volatile uint16_t data)
{data = data;*(uint16_t *)(FSMC_ADDR_DATA) = data;
}
uint16_t lcd_rd_data(void)
{volatile uint16_t ram; 	ram = *(uint16_t *)(FSMC_ADDR_DATA);return ram;
}

硬件IO連接關(guān)系

http://aloenet.com.cn/news/44326.html

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