摘要：常用電路保護(hù)器件的主要失效模式為短路，瞬變電壓抑制器(TvS)亦不例外。TvS 一旦發(fā)生短路失效，釋放出的高能量常常會(huì)將保護(hù)的電子設(shè)備損壞．這是 TvS 生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免的情況。通過對(duì) TVS 篩選和使用短路失效樣品進(jìn)行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征．結(jié)合器件結(jié)構(gòu)、材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時(shí)所受的應(yīng)力等。采用理論分析和試驗(yàn)證明等方法分析導(dǎo)致7rvS 器件短路失效的原因。分析結(jié)果表明引發(fā) TvS 短路失效的內(nèi)在質(zhì)量因素包括粘結(jié)界面空洞、臺(tái)面缺陷、表面強(qiáng)耗盡層或強(qiáng)積累層、芯片裂紋和雜質(zhì)擴(kuò)散不均勻等。使用因素包括過電應(yīng)力、高溫和長(zhǎng)時(shí)間使用耗損等。

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2? TVS 短路失效樣品和失效分析程序

????? 在國(guó)內(nèi)主要TVS 生產(chǎn)廠商的支持下，搜集了有關(guān)國(guó)產(chǎn) TVS 篩選和使用中短路失效的樣品和篩選應(yīng)力條件或使用條件等失效數(shù)據(jù)，對(duì)這些樣品進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試、開帽、去保護(hù)膠、管芯與電極分離、去焊料和顯微觀察等步驟，找出失效部位，分析引發(fā)TVS 短路失效的內(nèi)在質(zhì)量因素或使用因素，以及失效的發(fā)生過程。其中內(nèi)在質(zhì)量因素即與器件設(shè)計(jì)、材料、工藝、組裝、封裝相關(guān)的引起器件失效的因素；使用因素即除內(nèi)在質(zhì)量因素以外的引起器件失效的因素，通常與過電引力、靜電放電、過載、錯(cuò)誤使用等相關(guān)。

3??引發(fā) TVS 短路失效的內(nèi)在質(zhì)量因素和失效機(jī)理

????? TVS 器件主要由芯片、電極系統(tǒng)和管殼3 部分構(gòu)成。其中芯片是核心，通常在單晶硅片上采用擴(kuò)散工藝形成。將擴(kuò)散好的芯片經(jīng)過腐蝕成臺(tái)面狀、芯片鍍鎳、燒焊、涂保護(hù)膠、封帽、點(diǎn)焊上引線、外引線鍍錫等工序便完成TVS 器件的制造。如果 TVS 制造工藝過程中控制不良，則可能造成 TVS 器件的固有缺陷，使TVS 成品率和可靠性降低，在篩選或使用中容易失效。TVS 篩選短路失效樣品分析和統(tǒng)計(jì)表明，TVS 引發(fā)篩選短路的內(nèi)在質(zhì)量因素有很多，各因素的比例如圖 1 所示。這些因素也是使用中引發(fā) TVS 短路失效的主要內(nèi)在質(zhì)量因素。

芯片粘結(jié)界面空洞?2 Q: z8 A- q- c

??????引發(fā)?TVS?短路的最典型的原因是管芯與內(nèi)引線組件、底座銅片燒結(jié)不良，在燒結(jié)界面出現(xiàn)大面積空洞。

? ? ??空洞可能是由于焊料不均勻或粘結(jié)界面各層材料玷污、氧化使焊料沾潤(rùn)不良，造成燒焊時(shí)焊料與芯片或金屬電極沒有良好的熔合焊接引起的。空洞面積較大時(shí)，電流在燒結(jié)點(diǎn)附近匯聚，管芯散熱困難，造成熱電應(yīng)力集中，產(chǎn)生局部熱點(diǎn)，嚴(yán)重時(shí)引起熱奔，使器件燒毀。對(duì)這些燒毀的器件進(jìn)行解剖分析，可以看到有芯片局部較深的熔融；空洞面積較小時(shí)，可加速焊料熱疲勞，使焊料層會(huì)產(chǎn)生疲勞龜裂，引起器件熱阻增大，最終

導(dǎo)致器件過熱燒毀。

臺(tái)面缺陷# a/ `: U"M' R) P6 g#2 R( M4 w7 Y3 D7 ]

?? TVS?臺(tái)面缺陷造成的失效常常是批次性的。TVS?制造工藝過程中造成芯片臺(tái)面損

傷的原因主要有兩個(gè)：

1）芯片在酸蝕成型時(shí)，由于氫氟酸、硝酸混合液配方過濃或溫度過高而反應(yīng)劇烈；

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燒焊過后進(jìn)行堿腐蝕清洗時(shí)，腐蝕液濃度過大、溫度過高而造成堿腐蝕清洗過重。在顯微鏡下觀察堿腐蝕清洗過重的臺(tái)面，可以看到臺(tái)面有類似被沖刷的痕跡，如圖3?所示，這是因?yàn)楣杵?#xff08;1，?0，?0）晶向被堿腐蝕清洗試劑腐蝕的速率最快。)?

堿腐蝕清洗過重的臺(tái)面?1 [; h5 [) V9H2 z, o0 u4 y6 O% F( p# }1 Y7 F: F* `

??????臺(tái)面缺陷或損傷的?TVS?器件經(jīng)過溫度循環(huán)和箝位沖擊等篩選試驗(yàn)后，進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試時(shí)通常表現(xiàn)為短路或擊穿特性異常，從而被剔除。但輕微臺(tái)面損傷的TVS?器件在篩選后電參數(shù)測(cè)試時(shí)不易被發(fā)現(xiàn)，可能被列為良品出廠。這些?TVS?器件在使用過程中經(jīng)受長(zhǎng)時(shí)間熱、電、機(jī)械等應(yīng)力的作用后，臺(tái)面缺陷加劇，在缺陷處形成載流子產(chǎn)生復(fù)合中心，使表面反向漏電流大大增加。大的表面反向漏電流使pn?結(jié)邊緣溫度升高，產(chǎn)生熱電綜合效應(yīng)，最終導(dǎo)致?pn?結(jié)邊緣半導(dǎo)體材料溫度過高燒毀。8 A+ k! ?; |- K2 e4 x? _

?表面強(qiáng)積累層或強(qiáng)反型層& v8 F: D: k6 B0 b+ A

??????即便TVS?器件芯片臺(tái)面完好，TVS?短路失效也容易發(fā)生在表面。這是由于晶體結(jié)構(gòu)的周期性在表面上中斷，加上半導(dǎo)體表面往往存在許多磨片、拋光、噴砂、切片等引起的晶格缺陷，吸附腐蝕時(shí)殘留的化學(xué)品、氣體或其它污染物，會(huì)使半導(dǎo)體表面帶電。表面電荷被保護(hù)膠鈍化，并吸附或排斥半導(dǎo)體體內(nèi)的自由載流子，在pn?結(jié)邊緣形成表面積累層、耗盡層或反型層等表面空間電荷層。在外加電壓的作用下，強(qiáng)積累層或強(qiáng)反型層使pn?結(jié)邊緣電場(chǎng)強(qiáng)度大于體內(nèi)，如圖?4?所示。因此，pn?結(jié)邊緣部分在比額定擊穿電壓低的電壓下便達(dá)到臨界電場(chǎng)而發(fā)生載流子倍增效應(yīng)，造成pn?結(jié)邊緣電流集中，功率密度過大，溫度過高而燒毀。

?芯片裂紋: C. c# I1 N0k7 U8 r [& s% u# M' o/ ?4 Q

???芯片裂紋是引起?TVS?短路失效的又一重要內(nèi)在質(zhì)量因素。它可能是由磨片、拋光、噴砂、切片等殘留應(yīng)力以及燒結(jié)后殘留變形等因素引起，也可能是由于溫度變化時(shí)保護(hù)膠和電極系統(tǒng)對(duì)芯片熱不匹配應(yīng)力而引起。細(xì)微裂紋在高低溫循環(huán)，脈沖沖擊或機(jī)械振動(dòng)作用下會(huì)增大。如果裂紋在pn?結(jié)處，則引起?TVS?器件反向漏電流增大；如果裂紋在?pn?結(jié)附近，將會(huì)導(dǎo)致裂紋處載流子復(fù)合，裂紋附近載流子數(shù)目減少，pn?結(jié)特性變壞。這兩種情況都能使?TVS?器件反向功率負(fù)荷能力下降。R: c$ N' Q& H- C- w) w

雜質(zhì)擴(kuò)散不均勻

????? TVS的芯片通常是在一定電阻率的P?型或N?型硅片上先進(jìn)行磷擴(kuò)散后進(jìn)行硼擴(kuò)散形成的。如果擴(kuò)散工藝過程中出現(xiàn)硅片電阻率軸向或徑向不均勻，雜質(zhì)濃度不均勻，體內(nèi)缺陷（位錯(cuò)、層錯(cuò)、微缺陷）或pn?結(jié)表面不平整等情況，將會(huì)造成硅片摻雜不均勻，使硅片各處擊穿電壓不同，從而使器件擊穿時(shí)管芯電流分布不均勻，多次浪涌沖擊后局部燒毀。?A/h? o

引發(fā)?TVS?短路失效的使用因素和失效機(jī)理?8 g* D- v? y( F, n. M* b# H! G

過電應(yīng)力( G" t$R" ]. b& k

??????當(dāng)瞬態(tài)脈沖能量超過?TVS?所能承受能量時(shí)會(huì)引起?TVS?器件過電應(yīng)力損傷，特別是當(dāng)瞬態(tài)脈沖能量達(dá)到?TVS?所能承受能量的數(shù)倍時(shí)會(huì)直接導(dǎo)致?TVS?器件過電應(yīng)力燒毀，失效模式表現(xiàn)為短路。過電應(yīng)力短路失效的?TVS?芯片在掃描電鏡下觀察，可發(fā)現(xiàn)?pn?結(jié)表面邊緣的熔融區(qū)域或體內(nèi)硅片的上表面和下表面的黑斑。

*??Z3j" H9 |) P6 p) I" i: g

??????試驗(yàn)表明，發(fā)生在結(jié)表面邊緣過電應(yīng)力短路失效通常是由持續(xù)時(shí)間極短（ns?級(jí)）的高能量瞬態(tài)脈沖所致，例如：EMP、ESD?產(chǎn)生的脈沖；體內(nèi)過電應(yīng)力失效通常是由持續(xù)時(shí)間稍長(zhǎng)（μs?級(jí)以上）高能量脈沖所致，例如：電快速瞬變，雷電產(chǎn)生的脈沖。如果高能量瞬態(tài)脈沖持續(xù)時(shí)間介于?ns?級(jí)和?μs?級(jí)之間，則短路可能發(fā)生在結(jié)邊緣表面，也可能發(fā)生在體內(nèi)。這一結(jié)果可通過熱傳導(dǎo)速率、硅和電極金屬的熔融溫度得到解釋。如圖5?所示，pn?結(jié)邊緣到熱沉的傳熱路徑比體內(nèi)長(zhǎng)，傳熱較體內(nèi)慢，因此結(jié)邊緣溫度比體內(nèi)高。持續(xù)時(shí)間極短（ns?級(jí)）的高能量瞬態(tài)脈沖使邊緣溫度急劇升高，導(dǎo)致邊緣熱擊穿而燒毀。而持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)（μs?以上）脈沖使邊緣熱量有足夠的時(shí)間傳至芯片中心周圍。隨著芯片溫度的升高，芯片中心周圍產(chǎn)生熔融通道。當(dāng)熔融從芯片的一表面延伸到另一表面時(shí)，硅片溫度超過1400?℃，處于熔融和非晶狀態(tài)，成為導(dǎo)體，形成導(dǎo)電通路，使芯片短路。如果脈沖持續(xù)時(shí)間達(dá)到ms?級(jí)，例如，雷電產(chǎn)生的脈沖，還會(huì)使鉛錫焊料達(dá)到?700?℃以上而發(fā)生熔融。

?高溫

???當(dāng)?TVS?器件工作溫度超過其最大允許工作溫度時(shí)，易發(fā)生短路失效且通常發(fā)生在?pn?結(jié)表面。這是因?yàn)?#xff0c;在高溫條件工作下，表面可動(dòng)離子的數(shù)量大大增加，表面電流也隨之增大，表面功率密度和溫度比體內(nèi)高，使?pn?結(jié)邊緣結(jié)溫超過?200℃，邊緣局部區(qū)域晶格遭受致命性的損壞。TVS?在高溫反偏篩選中短路失效情況統(tǒng)計(jì)表明：高擊穿電壓（150 V?以上）TVS?器件更容易發(fā)生短路失效。這是因?yàn)樵谙嗤~定功率的?TVS?系列中，在承受相同功率時(shí)，高擊穿電壓?TVS?芯片溫升更高。: d+ \4 n( C%X% W. Y? ]9 ^

長(zhǎng)時(shí)間工作耗損?P) i* a( T" l? u

??????對(duì)篩選合格的?TVS?器件進(jìn)行浪涌壽命試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)?TVS?器件經(jīng)過成千上萬次標(biāo)準(zhǔn)指數(shù)脈沖（所能承受的浪涌脈沖次數(shù)與質(zhì)量等級(jí)相關(guān)）沖擊后失效，失效模式通常為短路。對(duì)失效樣品進(jìn)行解剖后，在掃描電鏡下觀察芯片，發(fā)現(xiàn)結(jié)邊緣發(fā)生熔融現(xiàn)象和結(jié)邊緣焊料結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化，且結(jié)最邊緣處最為嚴(yán)重。失效機(jī)理可能結(jié)邊緣焊料形成金屬化合物而脆化，使管芯與底座熱沉逐漸分離，結(jié)邊緣的散熱能力降低，長(zhǎng)時(shí)間工作結(jié)溫持續(xù)增大導(dǎo)致過熱燒毀。

????? 內(nèi)在質(zhì)量因素引起 TVS 短路失效的機(jī)理主要是 TVS 制造工藝過程造成的芯片缺陷或損傷使 TVS 在承受脈沖沖擊時(shí)芯片局部電流集中，導(dǎo)致芯片局部過熱而燒毀。引發(fā) TVS 短路的使用因素主要有過電應(yīng)力、高溫和長(zhǎng)時(shí)間使用耗損。在 TVS 實(shí)際使用中，TVS 短路失效可能是各種因素綜合作用的結(jié)果。

????? 要減少 TVS短路失效，首先應(yīng)加強(qiáng) TVS 制造工藝過程的控制，尤其是對(duì)燒焊、臺(tái)面成型、堿腐蝕清洗、摻雜等工藝過程的控制，以減少或消除TVS 的固有缺陷。例如：國(guó)際上采用先進(jìn)的燒焊工藝已能將空洞面積控制在 10 %以下，采用離子注入摻雜能對(duì)摻雜過程進(jìn)行更好的控制，這些都大大提高了 TVS 的可靠性。其次，做到 TVS 的正確選型與安裝，最好對(duì) TVS 進(jìn)行降額使用，這樣可使 TVS 承受的功率較小，使用可靠性大大增加。此外，為使 TVS 發(fā)生短路失效時(shí)對(duì)被保護(hù)電子設(shè)備的影響降到最低，通常可在 TVS 前串接一條與之匹配的保險(xiǎn)絲。