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DDR5 是新一代 DRAM 內(nèi)存，具有一系列強(qiáng)大的功能，可提升可靠性、可用性和可維護(hù)性 (RAS)，降低能耗并顯著提高性能。請(qǐng)查看下方表格，了解 DDR4 和 DDR5 之間的一些主要特性差異。
DDR5 的優(yōu)勢(shì)
| 特性/選項(xiàng) | DDR4 | DDR5 | DDR5 優(yōu)勢(shì) | |
|---|---|---|---|---|
| 數(shù)據(jù)速率? | 600-3200MT/s | 4800-8800MT/s? | 提高性能和帶寬 | |
| VDD/VDDQ/VPP | ?1.2/1.2/2.5? | ?1.1/1.1/1.8 | 更低功耗 | |
| 內(nèi)部 VREF | VREFDQ | VREFDQ、VREFCA、VREFCS | 提高電壓裕度，降低 BOM 成本 | |
| 設(shè)備存儲(chǔ)密度 | ?2Gb-16Gb | ?16Gb、24Gb、32Gb | 支持容量更大的單芯片設(shè)備 | |
| 預(yù)取 | ?8n | 16n | 保持較低的內(nèi)部核心時(shí)鐘 | |
| DQ 接收器均衡 | CTLE | DFE | 改善 DRAM 內(nèi)接收的 DQ 數(shù)據(jù)眼圖的張開(kāi)度 | |
| 占空比調(diào)整 (DCA) | 無(wú) | DQ 和 DQS | 改善發(fā)送 DQ/DQS 引腳上的信號(hào) | |
| 內(nèi)部 DQS 延遲監(jiān)控 | 無(wú)? | DQS 間隔振蕩器? | 增強(qiáng)環(huán)境變化時(shí)的穩(wěn)健性 | |
| 片上 ECC | 無(wú) | 128b+8b SEC、錯(cuò)誤檢查和清理 | 增強(qiáng)片上 RAS | |
| CRC | 寫(xiě)入 | 讀/寫(xiě) | 通過(guò)保護(hù)讀取數(shù)據(jù)操作增強(qiáng)系統(tǒng) RAS | |
| 存儲(chǔ)體組 (BG)/存儲(chǔ)體? | 4 BG x 4 存儲(chǔ)體 (x4/x8) 2 BG x 4 存儲(chǔ)體 (x16) | 8 BG x 4 存儲(chǔ)體 (16-64Gb x4/x8) 4 BG x 4 存儲(chǔ)體 (16-64Gb x16) | 提高帶寬/性能 | |
| 命令/地址接口 | ODT、CKE、ACT、RAS、CAS、WE、A<X:0>? | CA<13:0> | 顯著減少 CA 引腳數(shù) | |
| ODT | DQ、DQS、DM/DBI | DQ、DQS、DM、CA 總線? | 提高信號(hào)完整度，降低 BOM 成本 | |
| 突發(fā)長(zhǎng)度 | BL8（以及 BC4） | BL16（以及 BC8 OTF） | 僅使用 1 個(gè) DIMM 子通道即可獲取 64B 緩存行。 | |
| MIR（“鏡像”引腳） | 無(wú) | 有? | 改善 DIMM 信號(hào) | |
| 總線反轉(zhuǎn)? | 數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn) (DBI) | 命令/地址反轉(zhuǎn) (CAI) | 降低 VDDQ 噪聲 | |
| CA 訓(xùn)練、CS 訓(xùn)練 | 無(wú) | CA 訓(xùn)練、CS 訓(xùn)練 | 改善 CA 和 CS 引腳上的時(shí)序裕度 | |
| 寫(xiě)入均衡訓(xùn)練模式 | 有 | 進(jìn)一步改進(jìn) | 補(bǔ)償不匹配的 DQ-DQS 路徑 | |
| 讀取訓(xùn)練模式 | 可通過(guò) MPR 實(shí)現(xiàn) | 專用 MR，用于串行（用戶定義）、時(shí)鐘和 LFSR 生成的訓(xùn)練模式 | 使讀取時(shí)序裕度更加穩(wěn)健 | |
| 模式寄存器 | 7 x 17 位 | 最多 256 x 8 位（LPDDR 類(lèi)型讀/寫(xiě)）? | 提供擴(kuò)展能力 | |
| PRECHARGE 命令 | 所有存儲(chǔ)體、每個(gè)儲(chǔ)存體 | 所有存儲(chǔ)體、每個(gè)儲(chǔ)存體、同一存儲(chǔ)體 | PREsb 允許在每個(gè) BG 中對(duì)存儲(chǔ)體預(yù)充電 | |
| REFRESH 命令? | 所有存儲(chǔ)體 | 所有存儲(chǔ)體、同一存儲(chǔ)體 | REFsb 允許在每個(gè) BG 中刷新存儲(chǔ)體 | |
| 環(huán)回模式 | 無(wú) | 有 | 支持 DQ 和 DQS 信號(hào)測(cè)試? |
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應(yīng)用服務(wù)器：高性能、大容量?jī)?nèi)存
提供更高帶寬、更低延遲和更大容量的 MRDIMM 主內(nèi)存，可用于加速使用 Intel Xeon 6 處理器的內(nèi)存密集型工作負(fù)載，如 AI 和高性能計(jì)算環(huán)境等。?
我們的大容量 MRDIMM 提供從 32GB 到 256GB 的容量選擇，可輕松部署在數(shù)據(jù)中心環(huán)境中。高性能 MRDIMM 解決方案在帶寬和能效方面可提高 39%。
大容量 RDIMM 助力 AI 發(fā)展
- DDR5 RDIMM 擴(kuò)展后的總帶寬高達(dá) 8000 MT/s，MRDIMM 擴(kuò)展后的總帶寬高達(dá) 8800 MT/s
- 與 3200 MT/s 的 DDR4 SDRAM 相比，DDR5 SDRAM 內(nèi)存的帶寬最高可提升 1 倍
- 基于 32GB 單顆粒的 128GB RDIMM 帶來(lái)了更大容量
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?業(yè)界前沿的大容量 RDIMM 模塊正在全球各地推動(dòng) AI 數(shù)據(jù)中心的發(fā)展。128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存采用行業(yè)前沿的 1β (1-beta) 技術(shù)，與采用 3DS 硅通孔 (TSV) 技術(shù)的競(jìng)品相比，位密度提高 45%?以上，能源效率提升高達(dá) 22%，延遲最多降低 16%。